[1]
С. Ковбаса, Ю. Вербовий, і Є. Коломійчук, «ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ», techned, вип. 5, с. 026, Вер 2025.