Ключові слова
heterojunction
transition process
rise time
equivalent circuit світлодіод
гетероперехід
перехідний процес
час наростання
еквівалентна схема
Як цитувати
Анотація
В роботі представлені результати теоретичних та експериментальних досліджень перехідних процесів в електричних колах з окремо взятим світлодіодом та їх послідовним, паралельним та змішаним з’єднанням. Показано, що динаміка наростання струму в колі із світлодіодом дуже мало змінюється при переході від окремо взятого СД до паралельного та послідовного їхнього з’єднання. Крім того, час наростання струму значно більший, ніж час його спадання. Порівнюючи динаміку спадання струму в колі і напруги, прикладеної до світлодіода, видно, що вони співпадають. Запропонована еквівалентна схема світлодіода, що представлена паралельною ланкою конденсатора Cd та опору Rd,, з’єднаною з послідовним опором RS, добре узгоджується з теоретичними розрахунками перехідних процесів та з отриманими експериментальними результатами. Основну роль у величині постійної часу τ перехідного процесу відіграє ємність конденсатора Сd, яка визначається дифузною ємністю гетеропереходу. На основі отриманих результатів визначено, що максимальна частота імпульсного живлення світлодіодних світлових приладів 8‧105 Гц. Бібл. 11, рис. 5, табл. 1.
Посилання
Lee G. W., Kim H., Park J., Shim J.-I., Shin D.-S. Investigation of Luminance Degradation in Organic Light-Emitting Diodes by Impedance Spectroscopy. IEEE Photonics Technology Letters. 2018. Vol. 30. Рр. 1183–1185. DOI: https://doi.org/10.1109/lpt.2018.2838099.
Ewert T. Advanced TCAD simulations and characterization of semiconductor devices: diss of Dr. Ph. Acta Universitatis Upsaliensis. Uppsala. 2006. 182 p.
Górecki K., Ptak P. Compact Modelling of Electrical, Optical and Thermal Properties of Multi-Colour Power LEDs Operating on a Common PCB. Energies. 2021. Vol. 14. No 5. P. 1286. DOI: https://doi.org/10.3390/en14051286.
Poppe A., Farkas G., Gaál L., Hantos G., Hegedüs J., Rencz M. Multi-Domain Modelling of LEDs for Supporting Virtual Prototyping of Luminaires. Energies. 2019. Vol. 12. No 10. P. 1909. DOI: https://doi.org/10.3390/en12101909.
Shi D., Li J., Liu Y., Shi L., Huang Y., Wang Z., Zhang X., Vladimirescu A. Effect of Illumination Intensity on LED Based Visible Light Communication System. IEEE International Symposium on Broadband Multimedia Systems and Broadcasting (BMSB). Paris, France, 27-29 October 2020. Pp. 1-4. DOI: https://doi.org/10.1109/BMSB49480.2020.9379384.
Perlaza J.S.B., Torres J.C., Morales M., Martínez-Sarriegui I., Valle C. del I., Sánchez Pena J.M. Characterization of high-power white leds for VLC applications. In: Measurement: Sensors. Proceedings of XXIII IMEKO World Congress. Yokohama, Japan, 30 August – 03 September 2021. Vol. 18. ID: 100215. 5 p. DOI: https://doi.org/10.1016/j.measen.2021.100215.
Bondarenko D.V. Modeling an optoelectronic load powered by a photovoltaic cell and a battery. Vidnovliuvana enerhetyka. 2020. No 2. Pp. 28-33. (Ukr)
Schubert E.F. Light-Emitting Diodes. E. Fred Schubert, 2018. 672 p.
Borysov O.V. Fundamentals of solid-state electronics: teaching manual. Kyiv: Osvita Ukrainy, 2011. 462 p. (Ukr)
Andriichuk V.A., Nakonechnyi M.S., Osadtsa Ya.M., Filiuk Y.O. Study of LED light sources with pulse power supply. Tekhnichna elektrodynamika. 2021. Vol. 1. Pp. 68-72. DOI: https://doi.org/10.15407/techned2021.01.068. (Ukr)
Bondarevskyi S.L., Danyleiko O.K., Rozhnenko Zh.H. Experimental study of luminous flux flicker coefficient of artificial light sources. Tekhnolohichnyi audit ta rezervy vyrobnytstva. 2016. No 5/1 (31). Pp. 45–50. DOI: https://doi.org/10.15587/2312-8372.2016.79727 (Ukr)
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Авторське право (c) 2024 Array