ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ЭКВИВАЛЕНТНЫХ ИСПЫТАНИЙ ТИРИСТОРНЫХ ВЕНТИЛЕЙ СТАТИЧЕСКИХ VAR КОМПЕНСАТОРОВ
№ 4 (2019), Перетворення параметрів електричної енергії
№ 4 (2019)
Перетворення параметрів електричної енергії

ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ЭКВИВАЛЕНТНЫХ ИСПЫТАНИЙ ТИРИСТОРНЫХ ВЕНТИЛЕЙ СТАТИЧЕСКИХ VAR КОМПЕНСАТОРОВ

Опубліковано 2019-06-12
https://doi.org/10.15407/techned2019.04.023
А.Л. Шитов
ЧАО “Завод ”Преобразователь”, ул. Днепровское шоссе, 9, Запорожье, 69069, Украина
https://orcid.org/0000-0003-0348-2845
А.Н. Буров
ЧАО “Запорожтрансформатор”, ул. Днепровское шоссе, 3, Запорожье, 69600, Украина
https://orcid.org/0000-0002-1397-8214
ARTICLE_3_PDF

Ключові слова

test station
thyristor valve
serial resonant inverter
thyristor-controlled reactor испытательный стенд
тиристорный вентиль
последовательный резонансный инвертор
тиристорно-управляемый реактор

Як цитувати

[1]
Шитов , А. і Буров, А. 2019. ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ЭКВИВАЛЕНТНЫХ ИСПЫТАНИЙ ТИРИСТОРНЫХ ВЕНТИЛЕЙ СТАТИЧЕСКИХ VAR КОМПЕНСАТОРОВ. ТЕХНІЧНА ЕЛЕКТРОДИНАМІКА. 4 (Чер 2019), 023. DOI:https://doi.org/10.15407/techned2019.04.023.
ACM ACS APA ABNT Chicago Harvard IEEE MLA Turabian Vancouver

Завантажити посилання

Endnote/Zotero/Mendeley (RIS) BibTeX
Crossref
Scopus
Google Scholar
Europe PMC

Анотація

Рассмотрена работа специализированного стенда с улучшенными технико-экономическими характеристи-ками для эквивалентных испытаний симметрично управляемых тиристорных вентилей, используемых в статических VAr компенсаторах. Силовая часть стенда оснащена традиционным низковольтным токовым контуром и энергоэффективным высоковольтным колебательным контуром, выполненным в виде последова-тельного резонансного инвертора по полумостовой схеме. На основе анализа структурной схемы стенда и схем замещения его контуров с испытуемым вентилем получены аналитические выражения для описания электромагнитных процессов, протекающих в контурах, определены параметры стенда, необходимые для проведения испытаний вентилей в эквивалентном режиме и выявлены оптимальные алгоритмы управления стендом. Разработаны рекомендации по испытанию вентилей тиристорно-управляемых реакторов и приве-дены результаты натурных исследований при заданных параметрах вентиля и стенда. Библ. 6, рис. 5.

https://doi.org/10.15407/techned2019.04.023
ARTICLE_3_PDF

Посилання

Static var compensators (SVC) – Testing of thyristor valves. International standard IEC 61954:2011+AMD1:2013+AMD2:2017. 90 p.

Sheng B., Oliveira M., Bjarme H.-O. Synthetic test circuits for the operational tests of TCR and TSC thyristor valves. In Proc. T&D Conf. and Exposition IEEE/PES, April 21-24 2008, Chicago, Illinois, USA. Pp. 1–5.

Woodhouse M.L., Simanwe T. A new facility for testing HVDC and SVC thyristor valves. CIGRE 2006, B4-309. Pp. 1–9.

Tang G., Zha K., He Z., Wang H. Study on Operational Tests for FACTS Thyristor Valves. IEEE Trans. Power Del. 2013. Vol. 28. No 3. Pp. 1525-1532.

Shytov Oleksandr, Xu Beibei, Zhang Xiaohui, Si Mingqi. Test station for detecting thyristor valve group. Patent WO 2013/113188 A1. 2013.

Shytov O.L., Burov O.M. The method of control the station for testing semiconductor valves. Patent UA No 116260. 2017. (Ukr)

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Авторське право (c) 2022 Array

Переглядів анотації: 42 | Завантажень PDF: 13

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.